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功率MOS產(chǎn)品

特點(diǎn):

密勒半導(dǎo)體熟悉8inch，12inch 等功率MOS芯片代工的一線制程工藝。推出第四代SGT平臺(tái)工藝，掌握業(yè)界一流的功率MOS代工技術(shù)，100%雪崩測(cè)試，100% BVDS測(cè)試，通過Clip封裝可以實(shí)現(xiàn)0.5mΩ導(dǎo)通阻抗。PDFN3*3 30V可以實(shí)現(xiàn)最低2mΩ阻抗。高FOM品質(zhì)因素，更好的EMI特性，密勒半導(dǎo)體將器件小型化做到極致。

 

密勒?qǐng)F(tuán)隊(duì)在智能硬件領(lǐng)域以及以BYD代表的車載電子應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)豐富。密勒半導(dǎo)體產(chǎn)品成功應(yīng)用在手機(jī)通訊，智能家居,智能穿戴IOT，無人機(jī)，汽車電子，安防照明，電源適配器，網(wǎng)絡(luò)通信等領(lǐng)域。陸續(xù)導(dǎo)入了CVTE,HONOR,NOKIA,ONE-PLUS,小米，傳音，倍思，安克，Realme，ZTE,龍旗，Belkin，BYD,JBL,ZKTeco等公司產(chǎn)品

索要詳細(xì)產(chǎn)品資料

功率MOS選型與推薦表

N/P MillerP/N Assembly BVDSS(V) ID(A) VTH(V) VGS(V) Ron(10VmΩ) Ron(4.5V)mΩ Ron(2.5V)mΩ
Min Typ 25℃ Min Typ Max Typ Max Typ Max Typ Max
20V-NMOS MN20D02M TO-252 20 22 90 0.45 0.62 1 ±10 　 　 2.8 4.5 3.3 5
MN20G02M PDFN5*6 20 22 90 0.45 0.62 1 ±10 　 　 2.8 4.5 3.3 5
20V-PMOS MP20G08M PDFN5*6 -20 -22 -18 -0.4 -0.62 -1 ±10 　 　 8.5 11 10.5 14
MP20D08M TO-252 -20 -22 -18 -0.4 -0.62 -1 ±10 　 　 8.5 11 10.5 14
MP20Q10M DFN3*3 -20 -22 -12 -0.5 -0.8 -1.2 ±12 　 　 9.5 12.5 13 16.5
30VNMOS MN30Q05M DFN3*3 30 33 60 1 1.6 3 ±20 8 10 10.5 13 　 　
MN30Q20M DFN3*3 30 33 26 1 1.6 3 ±20 18 21 24 27 　 　
MN30D04MR TO-252 30 33 80 1.6 3 　 ±20 4 6 5.5 7 　 　
MN30P04MR SOP-8 30 　 18 1 1.6 3 ±20 5 6.5 6.8 8 　 　
MN30D02MR TO-252 30 33 140 1 1.6 3 ±20 2.5 3 3.5 4 　 　
MN30G03M PDFN5*6 30 33 100 1 1.6 3 ±20 3 4.5 5 6.5 　 　
MN30P14 SOP-8 30 　 12 1 1.5 2.5 ±20 6.7 11 8.7 14 　 　
MN30G03 PDFN5*6 30 　 100 1 1.6 3 ±20 3.3 4.3 4.3 5.5 　 　
30VPMOS MP30P11MR SOP-8 -30 -33 13 -1 -1.6 -3 ±20 11 14 16 19 　 　
MP30Q11M PDFN3*3 -30 -33 -20 -1.1 -1.6 -1.9 ±20 8.6 9.6 12 15 　 　
MP30Q12M DFN3*3 -30 -33 -18 -1.1 -1.5 -2.9 ±20 11.2 15 18 25 　 　
MP30Q20M DFN3*3 -30 -33 -20 -1 -1.6 -2.8 ±25 17 20 21 25 　 　
MP30G08M PDFN5*6 -30 -33 -35 -1 -1.5 -2.5 ±20 7 9.2 　 　 　 　
MP30P16 SOP-8 -30 -33 -12 -1.2 -1.8 -2.8 ±25 10.2 12.5 16 25 　 　
MP30G16M PDFN5*6 -30 -22 -12 -1.2 -1.8 -2.8 ±25 10.2 12.5 16 25 　 　
MP30G07M PDFN5*6 -30 -33 40 -1 -1.5 -3 ±20 7.5 8.5 9 11 　 　
MP30D07M TO252 -30 -33 40 -1 -1.5 -3 ±20 7.5 8.5 9 11 　 　
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